Современные технологии производства микроэлектроники требуют высокой точности и воспроизводимости при обработке полупроводниковых пластин. Одним из ключевых этапов является плазмохимическое травление, обеспечивающее формирование микроструктур с высокой степенью разрешения. Однако сложность управления процессами в реальном времени и высокая стоимость оборудования мотивируют к внедрению цифровых двойников — программных моделей, отражающих поведение физических установок.
Цифровой двойник представляет собой комплексную модель, включающую описание структуры установки, математическое моделирование процессов, интерфейс взаимодействия с пользователем и при необходимости — связь с физическим оборудованием.
Его применение позволяет не только воспроизводить поведение технологической системы при различных условиях, но и проводить оптимизацию параметров, предотвращать ошибки и заранее прогнозировать поведение объекта при изменении входных воздействий.
Целью данной работы является разработка цифрового двойника процесса плазмохимического травления, способного имитировать технологический цикл, учитывать ключевые изменяемые условия среды и обеспечивать предсказуемое поведение при разных вариациях условий. Такой подход позволяет снизить затраты на реальные эксперименты и повысить качество управления технологическим процессом.
В качестве объекта моделирования выбрана установка плазмохимического травления, включающая в себя систему подачи газов, плазмообразующий генератор, реакционную камеру и систему откачки.
В работе используется модифицированная математическая модель, основанная на уравнении Аррениуса:
(1)
где
P — давление в камере;
α — степень чувствительности скорости к давлению (эмпирический параметр);
C — эффективная концентрация активных частиц;
T — температура в К;
β — степень чувствительности к концентрации активных частиц (эмпирический параметр).
Формула 1 позволит провести полноценную модуляцию процесса плазмохимического травления, для использования данной формулы необходимо создать функциональную программную оболочку.
Разработка цифрового двойника выполнена с использованием языка программирования C++ и фреймворка Qt 6. Архитектура включает следующие основные модули:
- MainWindow — пользовательский интерфейс и панель управления параметрами;
- Logic — модуль моделирования физических процессов;
- External — связь с реальным оборудованием через EtherCAT;
- Validator и Generator — проверка корректности параметров и генерация виртуальных установок.
Программа позволяет формировать установку, технологические процессы, задавать параметры давления, температуры и состава газовой смеси, а также запускать симуляцию с возможностью визуализации результата.
Для разработанной модели были проведены тестовые симуляции. Результаты показали:
- снижение затрат ресурсов при использовании цифрового двойника (особенно в виртуальном режиме без оборудования);
- соответствие профиля давления и концентраций газов реальному эксперименту;
- возможность настройки параметров без затрат на физическое сырье.
Таблица 1.
Сравнительная таблица накопление затрат ресурсов
Итерация |
Физическая установка |
ЦД с физическим оборудованием |
ЦД (виртуальный) |
1 |
100 |
100 |
100 |
2 |
200 |
110 |
100 |
3 |
300 |
120 |
100 |
4 |
400 |
130 |
100 |
5 |
500 |
140 |
100 |
6 |
600 |
150 |
100 |
Разработанный цифровой двойник был протестирован на ряде симуляций, сопоставленных с данными, полученными на физической установке. Сравнительный анализ показал высокую степень соответствия между вычисленными и измеренными параметрами. Основный измеряемой мерой было значение F1-меры, которая отражает баланс между точностью и полнотой работы алгоритма. Полученное значение F1-меры — 96,06%, что подтверждает корректность используемых математических уравнений и адекватность архитектурной реализации.
Разработанный цифровой двойник процесса плазмохимического травления демонстрирует высокую точность моделирования и эффективность в снижении затрат. Реализация модели в программной среде позволяет гибко варьировать параметры, адаптировать рецепты и визуализировать поведение системы. Представленный подход может быть использован в промышленных и научных целях, а также как обучающая платформа в образовательных учреждениях.
Список литературы
- Кирдяшев, К. П. Моделирование физических процессов в электронных приборах: учебное пособие / К. П. Кирдяшев. — Москва: Изд-во МАИ, 2007. — 79 с.
- Смирнов, В. И. Технология интегральных микросхем: учебное пособие / В. И. Смирнов. — Москва; Вологда: Инфра-Инженерия, 2023. — 244 с.
- Тихонов, А. Н., Арсенин, В. Я. Методы решения некорректных задач / А. Н. Тихонов, В. Я. Арсенин. — Москва: Наука, 1986. — 288 с.